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【一周热点】华为扩建武汉海思光工厂;新华三服务器将采用长江存储闪存

阅读量:3841293 2019-10-27



01
上海贝岭收购华大半导体控股公司
日前,上海贝岭发布公告,宣布拟以现金支付方式收购南京微盟电子有限公司(以下简称“南京微盟”)股东持有的100%股权。
根据评估报告,南京微盟截至2019年6月30日的全部股东权益价值估值为3.6亿元,较账面净资产1.03亿元溢价249.51%。经协商,本次南京微盟100%股权作价初步确定为3.6亿元(且不低于后续经国资监管部门备案的评估结果)。
华大半导体持有南京微盟41.33%股权,是南京微盟的第一大股东和控股股东,同时,华大半导体亦为上海贝岭的第一大股东和控股股东,上海贝岭董事马玉川亦担任南京微盟的董事、董事长职务,本次交易构成关联交易。
资料显示,南京微盟成立于1999年,前身为南京国投熊猫微电子有限公司,专注于高性能、高品质模拟集成电路和数模混合集成电路设计及销售。这次收购南京微盟,上海贝岭认为将可在业务上与公司协同发展,同时解决控股股东华大半导体前期曾承诺消除同业竞争问题。
详情请点击:《上海贝岭收购华大半导体控股公司》
02
华为拟18亿元扩建武汉海思光工厂
近日,武汉市国土资源和规划局对华为技术有限公司武汉研发生产项目(二期)A地块-海思光工厂项目规划设计方案调整进行批前公示。
公示资料显示,该项目原方案仅有1栋厂房,调整后的方案有7栋建筑物,分别为软件工厂、生产厂房1、动力站、仓库1、仓库2、仓库3、以及氢气供应站。此外,二期项目建筑占地面积也进行了大幅增加,由5905.53㎡调整为42682.19㎡;建筑面积也随之增加,由11836.59㎡调整为179731.72㎡。项目总投资18亿元。
根据华为在此前在其募集说明书透露的信息显示。截至2019年6月底,华为披露的在建工程达5项,包括贵安华为云数据中心项目、华为岗头人才公寓项目、苏州研发项目、华为松山湖终端项目二期和松山湖华为培训学院,拟建项目则有上海青浦研发、武汉海思工厂,总投资分别为109.85亿元和18亿元。
详情请点击:《总投资18亿元 华为扩建武汉海思光工厂》
03
芯源微、华特股份科创板IPO过会
科创板的申请、审核等相关工作仍在火热进行中,在过去这一周,沈阳芯源微电子设备股份有限公司(以下简称“芯源微”)、广东华特气体股份有限公司(以下简称“华特股份”)两家半导体相关企业相继过会。
10月21日,上交所科创板上市委员会召开了2019年第35次审议会议,审议结果显示,芯源微首发通过。芯源微成立于2002年,是由中科院沈阳自动化研究所发起创建的国家高新技术企业,目前主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售。
10月23日,上交所披露科创板上市委2019年第36次审议会议结果公告,特种气体供应商华特股份首发通过。华特股份成立于1999年,2017年曾于新三板挂牌上市,2018年4月终止挂牌,其主营业务以特种气体的研发、生产及销售为核心,辅以普通工业气体和相关气体设备与工程业务。
详情请点击:《又一家半导体厂商成功过会》、《这家半导体特种气体厂商科创板IPO成功过会》
04
新华三服务器将采用长江存储闪存
近日,紫光旗下新华三集团正式携手长江存储,整合中国顶尖的存储芯片资源,成功地将3D NAND芯片产品融入服务器产品之中。新华三表示,此次与长江存储携手,将长江存储闪存引入服务器产品线,将在应用实践中加速中国存储芯片与服务器的融合发展,进一步推动计算产品和架构的迭代。
长江存储成立于2016年7月,2017年成功研发了中国首颗拥有自主知识产权的32层MLC 3D NAND闪存芯片,该芯片目前已通过企业级验证并进行小规模的批量生产,主要应用在U盘、SD卡、机顶盒及固态硬盘等领域。随后,长江存储又推出了第二代具备完全自主知识产权的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,将广泛应用在智能手机、个人电脑、服务器等领域。
据了解,长江存储64层三维闪存既是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。新华三指出,长江存储未来还将推出Xtacking 2.0创新架构,将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中,会广泛应用于数据中心、企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域。
详情请点击:《携手长江存储 新华三服务器将采用国产闪存》
05
SK海力士将调整存储器产品生产比重
10月24日,SK海力士宣布截止2019年9月30日的2019年第三季度财务报告。第三季度SK海力士营收达6.84万亿韩元,营业利润4726亿韩元,净利润为4955亿韩元,营业利润率与净利润率均为7%。第三季度SK海力士收入环比增长6%,营业利润环比下降26%。
SK海力士指出,公司正在将利川M10厂的一部分生产线转换为批量生产CMOS图像传感器(CIS)的生产线,同时减少2D NAND闪存的生产量。因此,与去年相比,明年的DRAM和NAND闪存的生产量预计将减少,与今年相比,明年的投资额也将相当减少。
此外,SK海力士作出以下调整:计划将第二代10纳米(1Y)DRAM的生产比重到明年末提高至略超10%,并计划对最近开发的第三代10纳米(1Z)工程的产品进行批量生产;将把96层4D NAND闪存产品的生产比重到年末扩大到15%以上,并推进128层4D NAND闪存的批量生产和销售准备;将重点攻略高配置智能手机和SSD市场,预计其NAND闪存销售额中SSD所占的比重在第四季度将增加到30%。
详情请点击:《SK海力士Q3财报公布,这些存储器产品生产比重将调整》
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